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挥发性半导体,挥发性半导体加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
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1、具有双功能的非挥发性半导体记忆单元

[简介]：本套资料主要内容为一种具有双功能的非挥发性半导体记忆单元。该非挥发性半导体记忆单元包括基底、第一闸极、第二闸极、第三闸极、电荷储存层、第一扩散区、第二扩散区和第三扩散区。该第二闸极和该第三闸极是用以接收有关于该双功能...

2、具有双功能的非挥发性半导体记忆单元

[简介]：本套资料属于半导体存储器件技术领域，具体涉及一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件。包括：一个半导体衬底一个具有第一种掺杂类型的漏区两个具有第二种掺杂类型的源区一个用于捕获电子的堆叠栅其中，漏区和两个源...

3、一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件

[简介]：本套资料实施例提出了一种非挥发性半导体存储器，包括：字线、位线、限压器件和存储单元，存储单元位于字线和位线的交叉区域，存储单元包括存储电阻和选通器件，存储电阻为二元及二元以上的多元金属氧化物，存储器件的上电极与限...

4、非挥发性半导体存储器及其存储操作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种非挥发性半导体存储器的擦除方法，该方法通过在对非挥发性半导体存储器进行光线擦除时将所述非挥发性半导体存储器置于一电场中，所述电场使得所述非挥发性半导体存储器中被所述光线激发出的电子向所述半...

5、非挥发性半导体存储器的擦除方法

[简介]：本套资料主要内容为一种非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法。该存储单元包括：衬底；源区和漏区，形成于衬底上部沟道的两侧，非挥发性半导体存储单元周边；栅堆栈，形成于衬底上部沟道之上，与源区和漏区相连通，其中栅堆栈包括作...

6、非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法

[简介]：在电阻交叉点单元阵列中，除读出时选择的存储器单元之外，产生无数个寄生电流的路径。因为该寄生电流的总和与选择的存储器单元的电流相比相当大，所以判别选择的存储器单元中存储的数据有困难。为了判别电阻交叉点单元阵列...

7、不挥发性半导体存储装置

[简介]：本套资料是一种非挥发性半导体存储器元件以及其制造方法。存储器元件包含：衬底、衬底上的穿隧介电膜、形成在衬底中的源极区以及漏极区，以及在每一对源极区与漏极区之间的多个分离的储存块。每一储存线块包括储存数据以及二氧...

8、非挥发性半导体存储器元件及其制造方法

[简介]：一种选择栅极的制作方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有选择栅极；在选择栅极上形成腐蚀阻挡层。本套资料还提供选择晶体管、非挥发性半导体存储器及制作方法。本套资料在选择栅极上形成腐蚀阻挡层，后续刻蚀形成字线...

9、选择栅极、非挥发性半导体存储器及其制作方法

[简介]：一种栅极结构的制作方法，包括：在半导体衬底上形成隧穿氧化层；用化学气相沉积法在隧穿氧化层上形成离散的金属纳米点；在离散的金属纳米点上依次形成栅间介电层和导电层；刻蚀导电层、栅间介电层、离散的金属纳米点和隧穿氧...

10、栅极结构及非挥发性半导体存储器的制作方法

[简介]：现有的虚地方式的存储装置中，在存储单元参考单元中获得差动式的读出判定操作中成为基准的特性时，由于通过与参考单元邻接的单元的漏泄电流在过程中产生偏差，所以难以实现稳定的读出。本套资料主要内容为一种非挥发性半导体存...

11、非挥发性半导体存储装置

[简介]：本套资料提供一种非挥发性半导体存储器及其制作方法，这种非挥发性半导体存储器采用纳米单晶硅浮栅、实现了单电子存储，而且纳米单晶硅浮栅中的纳米单晶硅离子的密度高，存储能力强。所述非挥发性半导体存储器的制作方法包括...

12、非挥发性半导体存储器及其制作方法

[简介]：本套资料提供一种非挥发性半导体存储器及其制作方法，这种存储器采用纳米单晶硅浮栅、实现了单电子存储，而且纳米单晶硅浮栅中的纳米单晶硅离子的密度高。所述非挥发性半导体存储器的制作方法包括：在半导体基体形成隧道氧化...

13、非挥发性半导体存储器及其制作方法

[简介]：一种半导体结构的制造方法，适用于非挥发性存储器的工艺中。首先提供基底，基底中已形成有沟槽，且沟槽的侧壁已形成有浮置栅极。然后，在沟槽中形成导体材料层，并对导体材料层进行表面活化工艺。接着，在导体材料层上形成保护...

14、半导体结构与非挥发性存储器的结构及制造方法

[简介]：一种纳米单晶硅的形成方法，包括如下工艺步骤：在半导体基体上形成富硅介质薄膜层；将硅离子植入富硅介质薄膜层；对半导体基体进行退火处理，在富硅介质薄膜层中形成纳米单晶硅。所述富硅介质薄膜为富硅氧化物或者富硅氮氧化...

15、形成纳米单晶硅的方法和非挥发性半导体存储器制造方法

[简介]：一种非挥发性存储器，其包含多个存储单元、一位元线控制电路以及一验证电路。其中，位元线控制电路包含一驱动电路与一非驱动电路，而验证电路于驱动电路驱动存储单元时验证存储单元的一第一临限电压，并且尚可于驱动电路不驱...

16、非挥发性存储器及其相关临限电压验证方法与半导体装置

[简介]：一种半导体元件的制作方法，先提供一基底。然后，于基底上形成平行排列的多个第一栅极线以及与第一栅极线的排列方向垂直的第一虚拟栅极线。第一虚拟栅极线与第一栅极线间具有第一间隙，而相邻两个第一栅极线间具有第二间隙...

17、半导体元件与非挥发性存储器的制作方法

[简介]：一种非挥发性记忆胞，包括：具有第一导电型的一基底，一闸极结构，具有第二导电型的至少二源极汲极区，以及具有第二导电型的一埋入式通道区。闸极结构配置于基底上，而源极汲极区配置于闸极结构两旁的基底中。另外，埋入式通...

18、非挥发性半导体记忆胞及其制造方法

[简介]：本套资料是关于一种向半导体非挥发性存储器的信息的记录方法，是一种电流效率良好地对半导体非挥发性存储器元件进行信息记录的方法。电荷积蓄部被设置于电阻变化部上，并含有绝缘层且可积蓄电荷。当在藉由预先于电荷积蓄部中...

19、向半导体非挥发性存储器的信息的记录方法

[简介]：本套资料是关于一种非挥发性半导体存储器件，提供了一种能够加速存储速度和减少占用面积的非挥发性半导体存储器件。根据本套资料的非挥发性半导体存储器件中所采用的每个存储单元晶体管都设置有一个控制栅极，能够在操作中采...

20、非挥发性半导体存储器件

[简介]：本套资料是关于一种形成非挥发性记忆胞的方法及用这方法形成的半导体结构。该形成非挥发性记忆胞的方法，包括在一组成叠层上沉积一氧化层，且组成叠层具有一介电层、介电层上有一第一导电层。之后，去除部分氧化层的上部以暴露...

21、高速可编程不挥发性半导体存储装置

22、高速可编程不挥发性半导体存储装置

23、非挥发性半导体存储器件

24、非挥发性半导体存储器件

25、平坦型非挥发性半导体存储元件

26、非挥发性半导体存储单元结构及其制作方法

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